BSM75GB120DN2 модуль
от 245 руб.
Минимальный заказ — 40 шт.
- Под заказ
- Только оптом

- +375 (29) 150-02-29отдел продаж, сантехника, сбыт
- +375 (29) 833-65-79радиодетали
- +375 (33) 659-64-50розница ИП Зычков
Модуль IGBT биполярных транзисторов с изолированным затвором BSM75GB120 1200V 105A
Технические характеристики BSM100GAL120DLCK:
Продукт | IGBT Silicon Modules |
---|---|
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.1 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 105 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Рассеяние мощности | 625 W |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | 34MM |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Вид монтажа | Screw |
Основные | |
---|---|
Производитель | Infineon |
Страна производитель | Германия |
Максимальная мощность рассеивания | 830 Вт |
Тип монтажа | Ручной монтаж |
Тип транзистора | Транзисторный модуль |
Пользовательские характеристики | |
Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 1200 |
- Цена: от 245 руб.
- Минимальный заказ: 40 шт.